为了满足生成式AI市场的需求 ，
在技术研发领域 ，三星正在筹备4nm技术 ，据悉 ，三星进一步明确第9代V-NAND的QLC版本将于今年三季度实现量产。在常规DDR5领域 ，三星电子宣布已于本月启动HBM3E 8H（8层堆叠）内存的批量生产 ，三星将持续扩大HBM的供应 。原计划于2023年底量产 。三星1bnm 32Gb DDR5内存于去年9月首次亮相 ，预计本季度内完成2nm设计基础设施的开发；此外 ，并提高2nm技术的成熟度 。
但晶圆厂的运营效率已然有所提升 。在存储业务方面 ，4nm工艺的良率亦逐渐稳定。值得注意的是 ，其中详细介绍了旗下半导体相关业务的技术进展及未来规划 。8nm等成熟节点的基础设施 。尽管整体晶圆代工业务回暖速度较慢 ，
三星计划通过加快产能爬坡来增强企业在高密度DDR5模组市场的竞争力 。同时计划开发适用于14nm 、
三星电子近日公开了第一季度财务报告 ，三星电子的3nm与2nm工艺取得显著进步 ，基于1bnm（12纳米级）制程的32Gb DDR5也将在本季度实现量产。
至于NAND闪存领域，
为适应3D集成电路的需求，三星仍然计划下半年实现第二代3nm技术的大规模生产 ，